это быстро и бесплатно
Оформите заказ сейчас и получите скидку 100 руб.!
Ознакомительный фрагмент работы:
«МАТИ»-РГТУ
им. К. Э. Циолковского
Кафедра: "Xxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
xxxxxxxxxxxxxxxx"
студент ХxxxxxxxX. X.группа XX-X-XX |
дата сдачи |
оценка |
г. Москва 2001 год
Оглавление:
1. Исходные данные | 3 |
2. Анализ исходных данных | 3 |
3. Расчет физических параметров p- и n- областей | 3 |
| а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны | 3 |
| б) собственная концентрация | 3 |
| в) положение уровня Ферми | 3 |
| г) концентрации основных и неосновных носителей заряда | 4 |
| д) удельные электропроводности p- и n- областей | 4 |
| е) коэффициенты диффузий электронов и дырок | 4 |
| ж) диффузионные длины электронов и дырок | 4 |
4. Расчет параметров p-nперехода | 4 |
| a) величина равновесного потенциального барьера | 4 |
| б) контактная разность потенциалов | 4 |
| в) ширина ОПЗ | 5 |
| г) барьерная ёмкость при нулевом смещении | 5 |
| д) тепловой обратный ток перехода | 5 |
| е) график ВФХ | 5 |
| ж) график ВАХ | 6, 7 |
5. Вывод | 7 |
6. Литература | 8 |
| 1. Исходные данные | |||||||
1) материал полупроводника – GaAs 2) тип p-nпереход – резкий и несимметричный 3) тепловой обратный ток () – 0,1мкА 4) барьерная ёмкость () – 1пФ 5) площадь поперечного сечения ( S) – 1мм2 6) физические свойства полупроводника | |||||||
| Ширина запрещенной зоны, эВ | Подвижность при 300К, м2/В×с | Эффективная масса | Время жизни носителей заряда, с | Относительная диэлектрическая проницаемость | |||
| электронов | Дырок | электрона mn/me | дырки mp/me | ||||
| 1,42-8 | 0,85-8 | 0,04-8 | 0,067-8 | 0,082-8 | 10-8 | 13,1-8 | |
| 2. Анализ исходных данных | |||||||
1. Материал легирующих примесей: а) S (сера) элемент VIA группы (не Me) б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me) 2. Концентрации легирующих примесей: Nа=1017м -3, Nд=1019м -3 3. Температура (T) постоянна и равна 300К (вся примесь уже ионизирована) 4. – ширина запрещенной зоны 5. , – подвижность электронов и дырок 6. , – эффективная масса электрона и дырки 7. – время жизни носителей заряда | |||||||
| 8. – относительная диэлектрическая проницаемость | |||||||
| 3. Расчет физических параметров p- и n- областей | |||||||
а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны б) собственная концентрация в) положение уровня Ферми (рис. 1) (рис. 2) | |||||||
|
| ||||||||||||||||||||||||
| (рис. 1) | (рис. 2) | ||||||||||||||||||||||||
г) концентрации основных и неосновных носителей заряда | |||||||||||||||||||||||||
д) удельные электропроводности p- и n- областей | |||||||||||||||||||||||||
е) коэффициенты диффузий электронов и дырок | |||||||||||||||||||||||||
ж) диффузионные длины электронов и дырок | |||||||||||||||||||||||||
4. Расчет параметров p-n перехода | |||||||||||||||||||||||||
a) величина равновесного потенциального барьера б) контактная разность потенциалов | |||||||||||||||||||||||||
| в) ширина ОПЗ (переход несимметричный -) | ||
г) барьерная ёмкость при нулевом смещении д) тепловой обратный ток перехода | ||
е) график ВФХ | ||
– общий вид функции для построения ВФХ | ||
ж) график ВАХ | ||
– общий вид функции для построения ВАХ | ||
Ветвь обратного теплового тока (масштаб) | ||
Ветвь прямого тока (масштаб) | ||
Вывод. При заданных параметрах полупроводника полученные значения удовлетворяют физическим процессам: - величина равновесного потенциального барьера () равна , что соответствует условию >0,7эВ | ||
| - барьерная емкость при нулевом смещении () равна 1,0112пФ т.е. соответствует заданному ( 1пФ ) | ||
- значение обратного теплового тока () равно 1,92×10-16А т.е. много меньше заданного ( 0,1мкА ) | ||
Литература: 1. Шадский В. А. Конспект лекций «Физические основы микроэлектроники» 2. Шадский В. А Методические указания к курсовой работе по курсу «ФОМ». Москва, 1996 г. 3. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники. Москва, «Советское радио», 1971 г. | ||
Сделайте индивидуальный заказ на нашем сервисе. Там эксперты помогают с учебой без посредников
Разместите задание – сайт бесплатно отправит его исполнителя, и они предложат цены.
Цены ниже, чем в агентствах и у конкурентов
Вы работаете с экспертами напрямую. Поэтому стоимость работ приятно вас удивит
Бесплатные доработки и консультации
Исполнитель внесет нужные правки в работу по вашему требованию без доплат. Корректировки в максимально короткие сроки
Гарантируем возврат
Если работа вас не устроит – мы вернем 100% суммы заказа
Техподдержка 7 дней в неделю
Наши менеджеры всегда на связи и оперативно решат любую проблему
Строгий отбор экспертов
К работе допускаются только проверенные специалисты с высшим образованием. Проверяем диплом на оценки «хорошо» и «отлично»
Работы выполняют эксперты в своём деле. Они ценят свою репутацию, поэтому результат выполненной работы гарантирован
Ежедневно эксперты готовы работать над 1000 заданиями. Контролируйте процесс написания работы в режиме онлайн
Задание в прикрепленном файте. Вариант 2.
Решение задач, Международное частное право
Срок сдачи к 22 дек.
Решить 6 задач и сделать схемы
Контрольная, Метрология, стандартизация и сертификация
Срок сдачи к 25 дек.
Разработка информационной системы для центра занятости. 25-30 страниц
Курсовая, Информатика
Срок сдачи к 22 дек.
Оценивание сложных систем в условиях риска и неопределенности
Лабораторная, Теория информационных процессов и систем
Срок сдачи к 16 дек.
Экзамен Билет № 12 (ответить на 4 вопроса и решить одну задачу)
Другое, Пожарная тактика, пожарная безопасность
Срок сдачи к 2 февр.
сделать курсовой по тмм.
Курсовая, Теория механизмов и машин (ТММ), детали машин, машиностроение
Срок сдачи к 26 дек.
Заполните форму и узнайте цену на индивидуальную работу!