Принципы выбора элементной базы

Содержание
Введение…………..……………….…………....…………………….… 3
1. Выбор и обоснование элементной базы....………………….….…... 4
2. Принцип выбора элементной базы…………………………….….. 10
3. Классификация элементной базы силовой электроники……..….. 12
4. Развитие элементной базы электроники………………………..… 16
Заключение...……………….………..................................................... 20
Список литературы………....……………………………...……...….. 21
Введение
Электроника – это область науки и техники, которая занимается изучением физических основ функционирования, исследованием, разработкой и применением приборов, принцип действия которых основан на протекании электрического тока в вакууме, газе, в твердом теле. Такими приборами являются: электронные приборы (ток в вакууме), ионные приборы (ток в газе), полупроводниковые приборы. В настоящее время наиболее распространены полупроводниковые приборы.
Часть электроники, которая занимается вопросами применения различных приборов, называется промышленной электроникой. Она разделяется на два направления.
1. Информационная электроника занимается вопросами управления различными процессами. К устройствам информационной электроники относятся: аналоговые усилители и преобразователи сигналов, генераторы сигналов, оптоэлектронные устройства, логические элементы, цифровые устройства, микропроцессорные системы. Они предназначены для измерения, обработки, передачи, хранения и отображения информации.
2. Энергетическая (силовая) электроника занимается преобразованием параметров электроэнергии. К устройствам энергетической электроники относятся: выпрямители, инверторы, преобразователи частоты, регуляторы напряжения.
1. Выбор и обоснование элементной базы
Выбор элементной базы проводится на основе схемы электрической принципиальной с учетом требований изложенных в техническом задании. Эксплуатационная надежность элементной базы во многом определяется правильным выбором типа элементов при проектировании и использовании в режимах, не превышающие допустимые. Следует отметить, что ниже рассматриваются допустимые режимы работы и налагаемые при этом ограничения в зависимости от воздействующих факторов лишь с точки зрения устойчивой работы самих элементов, не касаясь схемотехники и влияния параметров описываемых элементов на другие элементы.
Влияние Э.Д.С. шумов, коэффициентов нелинейности, паразитных емкости и индуктивности и др., должны учитываться дополнительно исходя из конкретных условий применения.
Критерием выбора электро радиоэлементов (ЭРЭ) в любом радиоэлектронном устройстве является соответствие технологических и эксплуатационных характеристик ЭРЭ заданным условиям работы и эксплуатации.
Основными параметрами при выборе ЭРЭ являются:
а) технические параметры:
– номинальное значение параметров ЭРЭ согласно принципиальной электрической схеме устройства;
– допустимые отклонения величин ЭРЭ от их номинального значения;
– допустимое рабочее напряжение ЭРЭ;
– допустимое рассеивание мощности ЭРЭ;
– диапазон рабочих частот ЭРЭ;
– коэффициент электрической нагрузки ЭРЭ.
б) эксплуатационные параметры:
– диапазон рабочих температур;
– относительная влажность воздуха;
– давление окружающей среды;
– вибрационные нагрузки;
– другие (специальные) показатели.
Дополнительными критериями при выборе ЭРЭ являются:
– унификация ЭРЭ;
– масса и габариты ЭРЭ;
– наименьшая стоимость;
– надежность.
Выбор элементной базы по вышеназванным критериям позволяет обеспечить надежную работу изделия. Применение принципов стандартизации и унификации при выборе ЭРЭ, а также конструировании изделия позволяет получить следующие преимущества:
– Значительно сократить сроки и стоимость проектирования.
– Сократить на предприятии изготовителе номенклатуру применяемых деталей и сборочных единиц, увеличить применяемость и масштаб производства.
– Исключить разработку специальной оснастки и специального оборудования для каждого нового варианта РЭС, т.е. упростить подготовку производства.
– Создать специализированное производство стандартных и унифицированных сборочных единиц для централизованного обеспечения предприятий.
– Улучшить эксплуатационную и производственную технологичность.
– Снизить себестоимость выпускаемого изделия.
Учитывая вышесказанное, перейдем к выбору элементной базы
Конденсатор К10-17.
Конденсаторы типа К10-17А с неорганическим диэлектриком, низковольтовые. Предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного тока. Конструктивно конденсаторы выполнены в бескорпусном варианте.
Допустимые воздействующие факторы при эксплуатации:
–Температура окружающей среды, °Сверхнее значение +85;
нижнее значение -60.
Относительная влажность воздуха, % , не более,
при температуре +25 °С (исп. УХЛ) 98.
Пониженное атмосферное давление, Па (мм рт. ст. 0,00013 (10-6).Основные технические данные.
Тангенс угла потерь: К10-17А Н90 0,035;
К10-17 В М1500, М47 0,0015.
Сопротивление изоляции, МОм: К10-17А Н90 1000;
К10-17 В М1500, М47 10000.
Постоянная времени, МОм•мкФ: К10-17А Н90 75;
К10-17А М1500, М47 250.
Срок сохраняемости, лет 12.
Допускаемая реактивная мощность, ВАР: К10-17А Н90 0,06 .2;
К10-17А М1500, М47 1 .40.
Конденсатор К50-35.
Конденсатор типа К53-4А электролитические, предназначены для работы в цепях постоянного и пульсирующего тока. Конструктивно выполнены в цилиндрическом герметизированном корпусе.
Допустимые воздействующие факторы при эксплуатации:
Температура окружающей среды, °Сверхнее значение +85;
нижнее значение -60.
Относительная влажность воздуха, % , не более,
при температуре +25°С 98.
Пониженное атмосферное давление, Па (мм рт. ст.) 0,00013 (10-6).
Основные технические данные.
Тангенс угла потерь: 15 .20.
Ток утечки, мкА: 5 .50.
Срок сохраняемости, лет 12.
Резистор С2-23.
Резисторы типа С2-23 с металлоэлектрическим проводящим слоем предназначены для работы в цепях постоянного, переменного и импульсного тока в качестве элементов навесного монтажа. Относятся к неизолированным резисторам.
Уровень собственных шумов, мкВ/В, не более 1,5.
Диод КД503А.
Полупроводниковый КД503А предназначен для работы в аппаратуре широкого применения. Выпускается в корпусном варианте.
Электрические характеристики:
Прямое напряжение на переходе при температуре окружающей
среды от +25 до +125 °С и Iпр=100 мА, В 1.
Максимальный обратный ток при :температуре корпуса от -60 до +25 °С, мкА 1;
- температуре корпуса +125 °С, мкА 200.
Максимальное обратное напряжение, В 30.
Ток прямой средний при температуре окружающей среды от - 60 до +50 °С, мА 50.
Ток импульсный при длительности импульса не более 10 мкс, мА 1000.
Эксплуатационные характеристики:
Температура окружающей среды, °С:
- верхнее значение +125;
- нижнее значение -60.
Относительная влажность воздуха при температуре +40°С, % 98.
Стабилитрон Д814Г.
Полупроводниковый Д814Г.
предназначен для работы в аппаратуре широкого применения. Выпускается в корпусном варианте.
Электрические характеристики:
Прямое напряжение на переходе при температуре окружающей
среды от +25 до +125 °С и Iпр=50 мА, В 1.
Максимальный обратный ток при:
- температуре тела от -60 до +25°С, мкА 1;
- температуре тела +125°С, мкА 100.
Максимальное обратное напряжение, В 30.
Ток прямой средний при температуре окружающей среды
от - 60 до +50 °С, мА 50.
Ток импульсный при длительности импульса не более 10 мкс, мА 500.
Эксплуатационные характеристики:
Температура окружающей среды, °С:
- верхнее значение +125;
- нижнее значение -60.
Относительная влажность воздуха при температуре +40°С, % 98.
Транзисторы КТ315.
Граничная частота при Vкб=5В, Iэ=10мА не менее 300МГц
Постоянное напряжение Vкэ при Rэб<3кОм 15В.
Постоянный ток коллектора 30мА.
Температура окружающей среды от 213 до 398К.
Рассеиваемая мощность при Т=213 .338К, р<665Па 150мВт при Т=398К 60мВт.
Транзисторы КТ361.
Граничная частота при Vкб=5В, Iэ=10мА не менее 300МГц.
Постоянное напряжение Vкэ при Rэб<3кОм 15В.
Постоянный ток коллектора 30мА.
Температура окружающей среды от 213 до 398К.
Рассеиваемая мощность при Т=213 .338К, р<665Па 150мВт при Т=398К 60мВт.
Микросхемы К176ИЕ4.
Микросхемы ТТ логика. Работают при напряжении питания Uпит=9В±10%. Имеют улучшенные электрические параметры: значительно снижен входной ток низкого уровня I0вх, увеличено пороговое входное напряжение до 1,5В и оно зафиксировано.
Выбор унифицированных узлов и установочных изделий.
Выбор унифицированных узлов и установочных изделий проводим на основании одного из требований технического задания к уровню унификации и стандартизации. На основании вышесказанного основное предпочтение отдается стандартизированным изделиям крепежа - практически все крепежные изделия стандартны.
Устанавливается индикаторный газоразрядный модуль является заимствованной - покупной единицей, не нуждающейся в какой-либо доработке.
2. Принцип выбора элементной базы
Для разработчика цифровых устройств любая микросхема представляет собой «черный ящик» и разработчик, не всегда зная внутреннее ее строение, должен четко представлять, как поведет себя та или иная микросхема в данном конкретном включении и будет ли она правильно выполнять требуемую от нее функцию.
Конструктивно-технологическая реализация цифровых интегральных схем (ИС) во многом определяет их основные технические параметры - быстродействие, потребляемую мощность, устойчивость к внешним дестабилизирующим факторам.
Различают следующие основные виды (типы) конструктивно – технологического исполнения ИС: биполярные, на основе МОП транзисторов, на основе комбинированной биполярно комплементарной (КМОП) технологии.
ИС на основе p-МОП обладают самой низкой стоимостью, однако имеют невысокие быстродействие и нагрузочную способность, не сопрягаются со стандартными TTJI-микросхемами.
ИС на основе n-МОП характеризуются высокой степенью интеграции и быстродействием, однако обладают низкой нагрузочной способностью при сравнительно высокой потребляемой мощности, могут сопрягаться с ТТЛ-микросхемами.
ИС на основе КМОП-транзисторов обладают высоким быстродействием, очень низкой потребляемой мощностью и высокой помехоустойчивостью.
Цифровые ИС на основе ЭСЛ-технологии (эмиттерно-связанной технологии) отличаются сверхвысоким быстродействием, однако обладают высокой потребляемой мощностью, требуют специальных внешних схем для сопряжения с ИС других типов.
Цифровые ИС на основе интегральной инжекционной логики (И2Л) характеризуются самой высокой степенью интеграции, низкой потребляемой мощностью, высоким быстродействием, сопрягаются с другими типами ИС.
Цифровые ИС на основе технологии транзисторнотранзисторной логики с диодами Шогтки (ТТЛШ) обладают более низким по сравнению с ЭСЛ ИС быстродействием, однако рассеивают меньшую мощность, обеспечивая высокие характеристики нагрузочной способности, помехоустойчивости.
Выбор элементной базы для реализации устройства выполняется с учетом исходных данных. Для исходных данных к проекту, приведенных в приложении 1, критериями выбора элементной базы являются:
- внешняя среда эксплуатации;
- критерий выбора семейства интегральных схем.
В зависимости от внешней среды эксплуатации выпускаются семейства интегральных схем для применения в военной промышленности, автомобильной промышленности, общего назначения. В нашем случае выбираем семейства общего назначения.
В соответствии со вторым критерием выбираем стандартную технологию ТТЛ, учитывая доступность элементной базы и достаточное быстродействие. Напряжение питания у них и ип = 5В ± 10%. Отличаются полной электрической и конструктивной совместимостью однотипных ИС.
При выборе микросхем необходимо избегать применения ИС разных серий. Если это неизбежно, то лучше применять микросхемы с одинаковым напряжением питания. При использовании ИС различных типов в одном устройстве необходимо учитывать также нагрузочную способность различных элементов.
3. Классификация элементной базы силовой электроники
В общем случае все многообразие микроэлектронных устройств силовой электроники можно разделить на две группы — дискретные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы (ИМС) для силовой электроники (рис. 1).
В свою очередь, силовые дискретные полупроводниковые приборы подразделяются на силовые диоды (диоды Шоттки, диоды Зенера, стабилитроны), силовые дискретные транзисторы (биполярные, Дарлингтона, MOSFET, IGBT, интеллектуальные MOSFET), многопереходные структуры (тиристоры, динисторы, симисто- ры) и мощные силовые модули на основе IGBT и тиристорно-диодных сборок.
Детальному рассмотрению каждого из этих типов силовых элементов посвящены гл. 3—5, а в этом разделе отметим основные их отличительные признаки.
Так, дискретные полевые транзисторы с изолированным затвором типа MOSFET и их интегрированные сборки предназначены в основном для использования в корректорах коэффициента мощности (РЕС), в полумостовых или мостовых структурах высокочастотных (ВЧ) инверторов и преобразователей энергии. Их отличительной характеристикой является возможность реализации на основе MOSFET законченных систем и источников питания большой и сверхбольшой мощности, которые могут работать на частотах преобразования 100-300 кГц и более с удельной мощностью до 700—1000 Вт/дм3.
Силовые модули, в свою очередь, подразделяются на универсальные и специализированные. Среди универсальных модулей следует выделить интегрированные силовые модули (ИСМ или IPM) на основе 1GBT, которые широко используются в системах управления электроприводом в одно- или трехфазных электросетях. Они могут включать в себя: выпрямительные мосты по соответствующей схеме, содержащие от двух до семи модулей IGBT, прерыватели (чопперы) наЮВТ и мощные пусковые терморезисторы.
Рисунок 1 – Классификация элементной базы силовой электроники
На таких универсальных силовых модулях создаются различные модификации систем управления: однофазный выпрямитель /чоппер/инвертор, однофазный выпрямитель/инвертор, трехфазный выпрямитель/инвертор, трехфазный выпря- митель/чоппер/ инвертор и др.
Специализированные силовые модули проектируются обычно на очень большую мощность и имеют достаточно сложную внутреннюю организацию. Так, стандартный трехфазный инвертор типа 8К/Р(ЖЕЯ фирмы 8ЕМ1КК(Ж мощностью до 250 кВт широко используется в электрическом или гибридном автотранспорте мировых фирм — производителей автомобильной техники и содержит в своем составе следующие блоки:
— силовую ЮВТ-секцию;
— датчики напряжения, тока и температуры;
— устройства управления и защиты;
— перепрограммируемый цифровой сигнальный микропроцессор;
— фильтр электромагнитных помех;
— радиатор жидкостного охлаждения и др.
Одной из разновидностей этого направления также являются силовые модули, конструктивно выполненные в виде последовательного соединения из двух IGBT и предназначенные для применения в системах управления электроприводом, сверхмощных импульсных источниках вторичного электропитания и т.п.
Запираемые тиристоры (GTO) в основном используются в тяговых электроприводах большой мощности. Наибольшее применение они находят в случае совместного использования со встроенными микросхемами управления (IGBT) на напряжениях от 4500 до 6000 В и токе от 400 до 2700 А.
Для работы в условиях высокого уровня электромагнитных помех, возникающих в процессе коммутации (это энергосберегающие преобразователи для линий передачи постоянного тока высокого напряжения типа HVDC, компенсаторы реактивной мощности типа SVC), используются мощные высоковольтные тиристоры с прямым управлением светом по оптическому кабелю (так называемые Light Tuiggered Thyristors — LTT).
Самостоятельное направление развития «силовые тиристоры» — диодные модули на напряжения от 800 до 1600 В и токи до 90 А. Обычно в их состав включают последовательно соединенные как минимум два мощных тиристора, которые в соответствии с алгоритмом управления встроенного контроллера можно объединять для организации схемы встречно-параллельного включения.
Кремниевые диоды Шоттки используются как индивидуально, так и в составе силовых сборок на напряжение от 35 до 50 В, причем в составе такого силового модуля обычно используются как минимум два диода Шоттки, которые также могут быть использованы в различных комбинациях их соединений.
Наиболее широко в энергосберегающей аппаратуре используются стандартные выпрямительные кремниевые силовые диоды и силовые модули на их основе.
Применяя эти модули в сетевых выпрямителях для сверхмощных блоков питания, можно существенно снизить потери мощности в самом выпрямительном узле, а также повысить КПД всего блока питания.
В свою очередь, все интегральные микросхемы (ИMC) для силовой электроники в зависимости от их назначения и особенностей применения можно разделить на пять основных групп:
— ИМС для источников питания (наиболее значимая по составу номенклатуры серия ИМС);
— ИМС для управления различными электродвигателями (коллекторными, шаговыми, вентильными);
— силовые ИМС для автомобильной электроники (их также используют в электронных системах управления сельскохозяйственной техникой — в тракторах, зерно- и кормоуборочных комбайнах, грузовых и карьерных автомобилях, автопогрузчиках, мотоциклах и пр.);
— ИМС для управления осветительным оборудованием (бытовыми и промышленными лампами дневного света, мощными промышленными светильниками, светильниками для освещения улиц и т.п.);
— ИМС управления мощными силовыми дискретными полупроводниковыми приборами (MOSFET, IGBT и модули на их основе).
4. Развитие элементной базы электроники
В 1898 году в иллюстрированном еженедельнике «Журнал новейших открытий и изобретений» была опубликована статья «Домашнее устройство опытов телеграфирования без проводов». Передатчик был выполнен на катушке Румкорфа, а приемник, по сути дела, был очень похож на грозоотметчик А.С. Попова. С помощью описанных приемника и передатчика можно было передавать сигнал на расстояние до 25 м, что для того времени было огромным достижением.
Уже в 1924 году вышел в свет первый номер журнала «Радиолюбитель». В середине 1930 года журнал переименовали в «Радиофронт» и под этим названием он издавался до июля 1941 года. В годы Великой Отечественной войны журнал, конечно, не издавался. Первый послевоенный выпуск журнала увидел свет в январе 1946. Именно с этого январского номера журнал стал называться «Радио». Его обложка показана на рисунке.
Самое поразительное в этом номере то, что после схем детекторных приемников, приводится цветная маркировка резисторов, в таком виде, какая она есть на сегодняшний день! Правда, там же сказано, что это новая американская маркировка. В России же «полосатые» резисторы появились лишь в конце двадцатого века, да и то внутри импортных магнитол и телевизоров. Зато «наши» преуспели в цветной маркировке полупроводников: стараясь для нужд оборонки, засекретили всё до такой степени, что понять какой же это транзистор или диод стало просто невозможно. Эта цветовая маркировка стала в полном объеме публиковаться лишь в настоящее время, вот только отечественными транзисторами пользоваться практически перестали.
Элементная база  радиолюбителя.
Интересный исторический факт: когда еще не было электрических паяльников, то выручала обычная пятикопеечная монета. Ее определенным образом затачивали и приклепывали к железной проволоке с деревянной ручкой. Будучи нагретой в пламени спиртовки монета вполне справлялась с функцией паяльника. Сейчас, конечно, такой совет кажется просто нелепым, но ведь было же!
При современной элементной базе, которая постоянно пополняется новыми микросхемами и транзисторами, таким «паяльником» просто нечего делать, ведь в некоторых случаях при ремонте электронной техники приходится пользоваться микроскопом. Таким образом, элементная база определяет не только конструкцию электронных устройств, а еще и то, какими инструментами эти устройства будут собираться или ремонтироваться.
Достаточно просто и наглядно развитие элементной базы можно проследить на различных поколениях ЭВМ, по современной терминологии компьютеров. Вот уже почти сорок лет развивающийся рынок персональных компьютеров как локомотив тащит за собой кремниевые технологии, что вызывает появление все новых и новых электронных компонентов.
Поколения ЭВМ и элементная база.
Первое поколение ЭВМ было построено на электронных лампах. Так в Великобритании в 1943 году была создана ЭВМ Colossus. Правда, она была узкоспециализированная, ее назначение состояло в расшифровке немецких кодов путем перебора разных вариантов. Устройство содержало 2000 ламп, при этом скорость работы составляла 500 знаков в секунду.
Первым универсальным ламповым компьютером считается ENIAC, созданный в 1946 году в США по заказу военных. Размеры этой ЭВМ очень впечатляют: 25 м в длину и почти 6 м в высоту. Машина содержала 17000 электронных ламп и выполняла в секунду около 300 операций умножения, что намного больше, чем у релейной машины Mark 1. Потребляемая мощность была около 150 КВт. С помощью расчетов на ЭВМ ENIAC была доказана теоретическая возможность создания водородной бомбы.
В Советском Союзе в период с 1948...1952 год также проводились разработки ламповых ЭВМ, как и в США, использовавшихся в основном военными. Одной из лучших ламповых ЭВМ советского производства следует признать машины серии БЭСМ (большая электронная счетная машина). Всего было выпущено шесть моделей БЭСМ-1 … БЭСМ-2 (ламповые) БЭСМ-3 … БЭСМ-6 уже на транзисторах. На момент создания каждая модель этой серии была лучшей в мире в классе универсальных ЭВМ.
Микроконтроллеры.
Рассказ о развитии элементной базы радиоэлектроники был бы неполным, если хоть немного не упомянуть о микроконтроллерах столь популярных теперь в радиолюбительских конструкциях. По старой терминологии они назывались однокристальными микро - ЭВМ.
В одном многовыводном корпусе объединены микропроцессор, память программ и оперативная память, порты ввода – вывода информации. Для подсчета интервалов времени микроконтроллеры имеют таймеры, многие модели имеют аналоговые входы, что позволяет обходиться без внешних устройств АЦП. Контроллеры с модулем PWM (ШИМ) находят применение в схемах инверторных сварочных аппаратов и регулируемых приводов асинхронных электродвигателей. Есть даже контроллеры со встроенным радиоканалом, что позволяет осуществлять беспроводное соединение.
Первый микроконтроллер семейства MCS-48 Intel 8048 был выпущен в 1976 году. Он имел 27 линий ввода – вывода, восьмиразрядный таймер, память данных и память программ и, конечно же, микропроцессор. В настоящее время эти микроконтроллеры стали достоянием истории.
Элементная база бытовой электроники.
Как уже было сказано выше, локомотивом развития элементной базы электроники стал быстро растущий, развивающийся рынок ПК. Благодаря этому современная бытовая техника напоминает специализированный компьютер. Телевизоры, домашние кинотеатры, проигрыватели DVD дисков имеют такие эксплуатационные параметры, которые лет двадцать назад просто невозможно было представить.
Даже стиральные машины, холодильники, простые новогодние гирлянды управляются микроконтроллерами. Современные поющие и говорящие детские игрушки, сделанные в Китае, также с микроконтроллерным управлением. Кстати, поразительный факт: еще в шестидесятые годы двадцатого столетия китайцы не могли наладить даже выпуск детекторных приемников, а теперь почти вся электроника делается в Китае.
В промышленности также любое современное устройство управления техпроцессом, даже не очень сложное построено на основе микроконтроллеров и, как правило, имеет интерфейс для подключения к ПК. Такой интерфейс имеют, например, электронные счетчики электроэнергии, что позволяет использовать их в системах автоматического учета.
Надежность современных электронных компонентов достаточно высока. Тем не менее, нередки случаи, когда любая электронная техника приходит в негодность, нуждается в ремонте. В случае поломки бытовой электронной техники не всегда возможно отнести неисправное устройство в специализированную мастерскую, просто не везде они есть. Тогда на помощь приходят радиолюбители, ремонтирующие технику в своих домашних мастерских.
Квалификация таких домашних мастеров, как правило, очень высокая, ведь ремонтируется весьма широкий спектр электронной техники: от простых дверных звонков до спутниковых систем телевидения.
Заключения
Элементная база – это компоненты, из которых состоят абсолютно все электронные приборы и устройства. Чтобы грамотно спланировать прибор, необходимо знать технические характеристики, а также как использовать те или иные электронные компоненты. Если на этом этапе допустить ошибку, весь прибор будет неработоспособен, так как содержит в себе ошибку.
Знание современной крайне обширной базы элементов, а также методов их изготовления, особенности строение и эксплуатации нужны самым различным специалистам в области электрики и электроники. В данной статье будет подробно рассмотрена структура современной элементной базы, которая существует на данный момент, а также что должен знать современный электронщики и специалист по «железу».
Список литературы
1. Алехин, В. А. Электротехника и электроника. Компьютерный лабораторный практикум в программной среде TINA-8. Учебное пособие / В.А. Алехин. - М.: Горячая линия - Телеком, 2014. - 208 c.;
2. Алиев, И. И. Электрические машины. Учебное пособие / И.И. Алиев. - М.: РадиоСофт, 2014. - 448 c.;
3. Алиев, И. И. Электротехнический справочник. Том 1 / И.И. Алиев. - Москва: СИНТЕГ, 2015. - 480 c.;
4. Антонов, Ю. Ф. Криотурбогенератор КТГ-20. Опыт создания и проблемы сверхпроводникового электромашиностроения / Ю.Ф. Антонов, Я.Б. Данилевич. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2013. - 600 c.;
5. Анучин, А. С. Системы управления электроприводов. Учебник / А.С. Анучин. - М.: МЭИ, 2015. - 378 c.;
6. Апгрейд своими руками / ред. В.И. Печников. - М.: Лучшие книги, 2017. - 223 c.;
7. Аполлонский, С.М. Теоретические основы электротехники (для бакалавров). Учебное пособие / С.М. Аполлонский, А.Л. Виноградов. - М.: КноРус, 2016. - 224 c.