это быстро и бесплатно
Оформите заказ сейчас и получите скидку 100 руб.!
ID (номер) заказа
3417745
Ознакомительный фрагмент работы:
Перечислите способы борьбы с паразитными кристаллами- Температура раствора, при которой опускается готовый вкладыш, определяется следующими соображениями. Разумеется, она должна быть выше температуры насыщения, а насколько – это зависит от склонности к образованию паразитных кристаллов.- Также существует изобретение, которое относится к способу выращивания кристаллов и позволяет ликвидировать паразитные кристаллы в течение всего процесса роста. Кристаллизатор заполняют раствором. Раствор покрывает слой герметизирующей жидкости, химически не взаимодействующей с раствором. Кристалл выращивают на затравку из пересыщенного раствора. После появления паразитных кристаллов в растворе выращиваемый кристалл помещают в слой жидкости, а в растворе создают недосыщение. После растворения паразитных кристаллов выращивание продолжают.Расскажите о процессах, протекающих в кристаллизаторе, во время выращивания монокристалла.Основными методами получения совершенных кристаллов большого диаметра являются методы выращивания из расплава, из растворов и из паровой (газовой) фазы.Веществами, наиболее подходящими для выращивания из расплава, являются те, которые плавятся без разложения, не имеют полиморфных переходов и характеризуются низкой химической активностью. При кристаллизации из расплава важно учитывать процессы, влияющие на состав расплава (термическая диссоциация, испарение, взаимодействие расплава с окружающей средой), процессы на фронте кристаллизации, процессы теплопереноса в кристалле и расплаве, процессы массопереноса (перенос примесей, обусловленный конвекцией и диффузией в расплаве).Один из наиболее широко используемых промышленных методов получения полупроводниковых и других монокристаллов это метод Чохральского.2. Выращивание кристаллов из растворов. При кристаллизации процесс роста складывается из следующих стадий: растворение исходных компонентов; диффузия их через жидкую фазу раствора к фронту кристаллизации; осаждение на фронте кристаллизации; рассеяние теплоты кристаллизации.Если при выращивании монокристалла из расплава лимитирующей стадией является рассеяние теплоты кристаллизации, то при росте из растворасамым медленным процессом является диффузия кристаллизующегося вещества к фронту кристаллизации. По этой причине линейные скорости роста кристаллов из растворов на 2 – 3 порядка меньше чем из расплава и составляют 10-3 – 10-2 см/час. Интенсификация массопереноса (например, путем конвекции или электропереноса) ухудшает качество кристалла.3. Выращивание монокристаллов из газовой фазы осуществляется несколькими методами, которые условно можно разделить на 2 группы:1. методы, основанные на чисто физической конденсации;2. методы, предполагающие участие химической реакции, продуктом которой является кристаллизируемое вещество.Выращивание кристаллов из газовой фазы, как и из растворов можно проводить при сравнительно низких температурах. Эти методы наиболее важны для производства монокристаллов: тугоплавких материалов; инконгруэнтн...
Сделайте индивидуальный заказ на нашем сервисе. Там эксперты помогают с учебой без посредников
Разместите задание – сайт бесплатно отправит его исполнителя, и они предложат цены.
Цены ниже, чем в агентствах и у конкурентов
Вы работаете с экспертами напрямую. Поэтому стоимость работ приятно вас удивит
Бесплатные доработки и консультации
Исполнитель внесет нужные правки в работу по вашему требованию без доплат. Корректировки в максимально короткие сроки
Гарантируем возврат
Если работа вас не устроит – мы вернем 100% суммы заказа
Техподдержка 7 дней в неделю
Наши менеджеры всегда на связи и оперативно решат любую проблему
Строгий отбор экспертов
К работе допускаются только проверенные специалисты с высшим образованием. Проверяем диплом на оценки «хорошо» и «отлично»
Работы выполняют эксперты в своём деле. Они ценят свою репутацию, поэтому результат выполненной работы гарантирован
Ежедневно эксперты готовы работать над 1000 заданиями. Контролируйте процесс написания работы в режиме онлайн
Сестринское сопровождение пациента, перенесшего острую ревматическую...
Курсовая, Сестринское дело
Срок сдачи к 5 нояб.
Сделать бизнес план . Заполнить полностью файл
Бизнес-план, Основы проектной деятельности
Срок сдачи к 25 окт.
Сделать в электронном виде, Использование, изучение Нанотехнологии в лаборатории сикн, какие могут они быть?
Контрольная, Нанотехнологии В Нефтегазовом Деле
Срок сдачи к 27 окт.
Комплексный экономический анализ любого предприятия
Курсовая, Комплексный экономический анализ
Срок сдачи к 25 нояб.
основные сведенья по теории сплавов
Ответы на вопросы, Материаловеденье (металообработка)
Срок сдачи к 6 нояб.
Сравните результаты расчета в нир 1 с утилитой infiplanner от производителя
НИР, Радиотехника
Срок сдачи к 29 окт.
Написать стать на тему: «Моделирование работы трубопрокатного стана для идентификации остаточного ресурса оборудования и автоматизации составления графиков технического обслуживания»
Статья, Автоматизация технологических процессов и производств
Срок сдачи к 29 окт.
Тема: Использование специальных знаний в уголовном процессе
Диплом, Уголовный процесс
Срок сдачи к 16 нояб.
Выполнить Задания по Основы цифровой грамотности В-02029
Решение задач, Информатика
Срок сдачи к 28 окт.
Заполните форму и узнайте цену на индивидуальную работу!