Эссе на тему: Рентгенолитография, синхротронное и ондуляторное излучение. Электронно- и ионолучевая литография.

Эссе на тему: Рентгенолитография, синхротронное и ондуляторное излучение. Электронно- и ионолучевая литография.

Начнем с определения, что же такое литография - это процесс формирования маски сопротивления на техническом (функциональном) слое, который имеет определенную точность в размере компонентов и комбинируется с другими функциональными слоями.

Требуемый размер элементов в резистовой маске (РМ) должен быть выполнен с учетом последующей обработки РМ и технологии технической коррекции, которая учитывает, что маска сопротивления, сформированная во время переноса изображения и процесса травления и сплава во время процесса травления и сплава, не только технологический слой является подлежит техническому преобразованию, но маска сопротивления также подлежит техническому преобразованию, что приводит к необходимости учитывать ее трехмерную конфигурацию при получении маски и учитывать ее устойчивость к соответствующим физическим и химическим факторам, действующим в процессе травления и сплавления.

Главной отличительной особенностью процесса литографии является избирательное воздействие на прилегающие участки кремниевой подложки. Поэтому перед выполнением следующей технической операции литографии необходимо сформировать защитную маску для защиты прилегающих частей пластины от воздействия активных факторов. Литография используется в качестве инструмента для формирования плоской топологии интегральной схемы (ИС), и ограниченный размер элементов получаемого изделия в значительной степени зависит от его разрешения. Это, в свою очередь, определяет важные потребительские качества IP, такие как скорость и интеграция.

Целью литографии является получение в резисте изображения рисунка c помощью оптического, рентгеновского излучений или электронных лучей. Из-за его радиационной чувствительности химическая реактивность экспонированных областей изменяется по сравнению с необлученными областями. Проявитель вытравливает либо экспонированную, либо не экспонированную области, точно формируя требуемый рисунок. С годами размеры элементов, изготавливаемых методами литографии, непрерывно уменьшались. В настоящее время назрела актуальная потребность в получении элементов размером менее 10 нм. Возможность изменять структуру и свойства резиста в таких малых пространственных масштабах, естественно, приведет к появлению новых технологий с сверхвысокой плотностью элементов 

Говоря о рентгеновском излучении для литографии стоит выделить основные преимущества его использования: отсутствие дифракции; рентгеновские лучи не отражаются и не рассеиваются в шаблоне и подложке; и низкая чувствительность к загрязнению шаблона и подложки.

В рентгеновской литографии используются два типа источников излучения: мощные рентгеновские трубки и синхронные ускорители заряженных частиц.

Рентгеновская трубка состоит из источника электронов (электронной пушки) и металлического анода, расположенного в объеме накачки. На анод подается положительное напряжение ускоренных электронов от нескольких тысяч вольт до десятков киловольт.

При рентгенолитографии используют два вида источников излучения: мощные рентгеновские трубки и синхротроны - ускорители заряженных частиц.

Рентгеновская трубка состоит из источника электронов (электронной пушки) и металлического анода, находящихся в откачанном объеме. На анод подается ускоряющее электроны положительное напряжение от нескольких до десятков киловольт. Ударившись об анод, электрон потеряет энергию Е₁ – Е₂, гдеЕ₁иЕ₂– энергия электрона до и после столкновения. Если торможение произошло достаточно быстро, то эта энергия превратится в излучение и в соответствии с законом