Разработка структурной и принципиальной схемы устройства

СОДЕРЖАНИЕ

Техническое задание……………………………………………………….3 

Введение……………………………………………………………………4

1. Разработка структурной и принципиальной схемы устройства……...5

2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………..8

3. Разработка интегральной микросхемы……………………………….23

3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов…………………………………………………………………………23

3.2 Расчет амплитудно-частотной характеристики……………………..26

3.3 Разработка топологии………………………………………………..28

3.4 Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы………………………………………………………………………30

Заключение………………………………………………………………..32

Список литературы……………………………………………………….33

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

Исходные данные по курсовой работе: Напряжение питания: Uп = -15 В Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 8 Входное сопротивление: Rвх = 1,6 МОм Сопротивление нагрузки: Rн = 1 кОм Номинальное напряжение: Uном = 1 В Нижняя рабочая частота: fн = 50 Гц Верхняя рабочая частота: fв = 10 кГцКоэффициент частотных искажений: -на нижней частоте Мн = 2 дБ -на верхней частоте Мв = 1 дБТип входа - несимметричный - источник сигнала имеет гальваническую связь с общим проводом (землей).Тип выхода - несимметричный

ВВЕДЕНИЕ

Среди устройств радиоэлектроники, усилители электрических сигналов получили самое широкое распространение. Их роль и значение трудно переоценить. По существу, они являются основой построения всей аппаратуры радиосвязи, радиовещания и телевидения; усиление электрических сигналов является фундаментальным свойством всей аппаратуры обработки сигналов. Усилитель электрических сигналов это устройство, увеличивающее (усиливающее) мощность подводимых к нему электрических сигналов путем управления ими энергией собственного источника питания усилителя при помощи усилительных элементов, обладающих управляющими свойствами.. Заданное разрабатываемое устройство является предварительным (входным) усилителем низкой частоты (УНЧ). Сравнительно невысокое качество параметров такого УНЧ (что определено его узкой полосой рабочих частот) предполагает использование разрабатываемого устройства в области телефонии, дешевых (невысокого качества) звукозаписывающих и звуковоспроизводящих устройств, диктофонах, слуховых аппаратах. Для достижения миниатюризации электронного устройства (что особенно важно в переносной радиоаппаратуре) и создания недорогого серийного производства наиболее целесообразно выполнять такую разработку в виде гибридной ИМС.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Игнатов А.Н., Фадеева Н.Е. Разработка интегрального устройства: Методические указания к курсовой работе. – Новосибирск: СибГУТИ, 2006

2. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники: Учебное пособие. – Новосибирск: СибГУТИ, 2005

3. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей. – М.:Связь,1976

4. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1980

5. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь,1983

6. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Под ред. Перельмана Б.Л. – М.: Радио и связь, 1981

7. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергия,1976

8. Справочная книга радиолюбителя конструктора под ред. Чистякова Н.И. кн.2 – М.: Радио и связь, 1993

9. Технический каталог. Полевые транзисторы и интегральные микросхемы. – Электроника, 1975

10. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 19911

1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1986