это быстро и бесплатно
Оформите заказ сейчас и получите скидку 100 руб.!
Ознакомительный фрагмент работы:
Диоды Ганна Диоды Ганна – это функциональные приборы, которые реализуют определённую функцию. В частности диод Ганна реализует функцию генератора СВЧ – колебаний. Впервые явление было открыто Ганном в 1963 г. Диод Ганна – это объёмный материал на основе GaAs, который при приложении к нему постоянного напряжения в определённом диапазоне, генерирует СВЧ – колебания. Рис 1 Причинной возникновения СВЧ – колебаний, является наличие на ВАХ, участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС). Зонная диаграмма и ВАХ GaAs. GaAs – как полупроводник Рис 2 Рис 3 | ||||||
| Лист | ||||||
| Изм | Лист | № докум | Подпись | Дата | ||
Эффективная масса m1*=0,07m0m1*=1,2m0 Подвижность µ1=600 см2/В*с µ2=150 см2/В*с По мере роста приложенного напряжения к образцу GaAs дополнительная энергия, которую приобретают электроны, расположенные в основном минимуме (нижняя долина), возрастает и начинает приближаться к энергии междолинного расщепления. Электрон начинает перебираться из основного минимума к дополнительному (верхняя долина). Рис 4 Вольт – Амперная Характеристика (ВАХ). Рис 5 | ||||||
| Лист | ||||||
| Изм | Лист | № докум | Подпись | Дата | ||
В следствии того, что подвижностиµ1иµ2отличаются сильно, на участке ВАХ проявляется участок с ОДП. Для GaAs – характерные точки между которыми происходит перераспределение ЕаиЕв Еа=3,2 кВ/смЕв=20 кВ/см Так как в GaAs энергия расщепления меньше ширины запрещённой зоны E<Eg, то Ев меньше напряжения лавинного пробоя Елп(Ев<Елп). Механизм междолинных переходов приводящих к появлению участка с ОДС, часе всего называют эффектом Ганна. Такой эффект реализуется в очень малом количестве полупроводников. Если подвижностиµ1, µ2мало отличаются друг от друга, то на ВАХ появляется характеристика без ОДС. Зарядовая неустойчивость в структурах с ОДС Рис 7 При выборе рабочей точки на участке ОДС любая зарядовая неустойчивость будет расти. Например, если в какой – то точке увеличивается отрицательный заряд, это приведёт к уменьшению поля слева от него и увеличивается поле справа от него, но при этом ток слева увеличивается, а справа уменьшается. И объёмный заряд будет расти. И это будет происходить до тех пор, пока заряд не вырастет на столько, что поле Е1 и Е3 соответствующие одинаковым токам. После этого рост зарядовой неустойчивости прекратится и, но она будет двигаться по образцу. В момент выхода объёмного заряда из образца возникает скачок тока и ясно, что время пролёта через образец – есть время соответствующее периоду колебаний тока во внешней цепи. В случае если ВАХ не имеет участка с ОДС, то зарядовая неустойчивость, вызывающая изменение электрических полей, сама по себе рассасывается. Рис 8 | ||||||
| Лист | ||||||
| Изм | Лист | № докум | Подпись | Дата | ||
Домены сильного электрического поля в диодах Ганна. Рис 9 Рис 10 В GaAs флуктуации приводят к образованию сильного электрического поля, заряд в котором растёт до тех пор, пока токи слева и справа внутри домена не выровняются. Причём внутри домена будут только тяжёлые электроны, а снаружи вне домена – лёгкие электроны. Этот домен электрического поля также движется по образцу и его разрушение на контактах будет соответствовать появлению колебаний тока в цепи. | ||||||
| Лист | ||||||
| Изм | Лист | № докум | Подпись | Дата | ||
Временные параметры диодов Ганна. Q - заряд - время релаксации относительно носителей. Если мы находимся на участке ОДС, тобудет отрицательной и заряд будет не рассасываться, а формироваться. - Условие формирования, а не рассасывания заряда Из них следует | ||||||
| Лист | ||||||
| Изм | Лист | № докум | Подпись | Дата | ||
есть условие конструирования диодов Ганна из GaAs. W=0,1 мм =107 Статистическая ВАХ GaAs. Отсюда следует
Экспериментально установлено, что для GaAs k=4 | ||||||
| Лист | ||||||
| Изм | Лист | № докум | Подпись | Дата | ||
СООТНОШЕНИЕ, ОПИСЫВАЮЩЕЕ ВАХ В ДИОДАХ ГАННА НА ОСНОВЕ GAAS Рис 11 | ||||||
| Лист | ||||||
| Изм | Лист | № докум | Подпись | Дата | ||
Сделайте индивидуальный заказ на нашем сервисе. Там эксперты помогают с учебой без посредников
Разместите задание – сайт бесплатно отправит его исполнителя, и они предложат цены.
Цены ниже, чем в агентствах и у конкурентов
Вы работаете с экспертами напрямую. Поэтому стоимость работ приятно вас удивит
Бесплатные доработки и консультации
Исполнитель внесет нужные правки в работу по вашему требованию без доплат. Корректировки в максимально короткие сроки
Гарантируем возврат
Если работа вас не устроит – мы вернем 100% суммы заказа
Техподдержка 7 дней в неделю
Наши менеджеры всегда на связи и оперативно решат любую проблему
Строгий отбор экспертов
К работе допускаются только проверенные специалисты с высшим образованием. Проверяем диплом на оценки «хорошо» и «отлично»
Работы выполняют эксперты в своём деле. Они ценят свою репутацию, поэтому результат выполненной работы гарантирован
Ежедневно эксперты готовы работать над 1000 заданиями. Контролируйте процесс написания работы в режиме онлайн
Презентация и короткое выступление к этой презентации
Презентация, Исследовательская работа моделирование и сравнение характеристик каналов райса
Срок сдачи к 21 сент.
Отчет по практике, технологическая (проектно-технологическая) практика | п. в | производственная практика/менеджмент управление проектами
Отчет по практике, Управление проектами
Срок сдачи к 14 сент.
отчет по практике/кадровый менеджмент/управление персоналом
Отчет по практике, кадровый менеджмент
Срок сдачи к 15 сент.
"Универсальное СТО легковых автомобилей для района с населением 42000 жителей с разработкой агрегатного участка."
ВКР, Автомобили и Автомобильный сервис
Срок сдачи к 11 янв.
Решить 1 лабораторную работу и 2 практические работы
Лабораторная, Особености разработки газонефтяных и нефтегазовых месторождений
Срок сдачи к 13 сент.
Выполнить задание в файле ecxel
Лабораторная, Формирование единой информационной среды предприятия на основе концепции «Качество 4.0»
Срок сдачи к 13 сент.
Тема выпускной квалификационной работы «Индивидуальный имидж как...
ВКР, Организационная психология
Срок сдачи к 31 окт.
Наступление танкового батальона по овладению населённого пункта
Реферат, Тактика
Срок сдачи к 11 сент.
Технология обучения учащихся основной школы устно-речевому иноязычному общению в условиях коллективно-группового взаимодействия
ВКР, Методика преподавания иностранных языков
Срок сдачи к 12 мар.
Написать курсовую работу
Курсовая, Курсовая работа. теоретические и прикладные аспекты методической работы учителя начальных классов
Срок сдачи к 15 сент.
Заполните форму и узнайте цену на индивидуальную работу!