Исследование полевых транзисторов

ГУАП

КАФЕДРА № 25

ОТЧЕТ
ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ

ПРЕПОДАВАТЕЛЬ

РАБОТУ ВЫПОЛНИЛ

Санкт-Петербург2011

Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1 Цель работы: изучение принципа действия, измерение характеристик и определение основных параметров полевого транзистора с управляющим р-п переходом и полевого транзистора с изолированным затвором.

2 Описание лабораторной установки

Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом приведена на рисунке 1.

Рисунок 1 – Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора 2П103Б с управляющим р-п переходом и каналом р-типа

Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора с изолированным затвором приведена на рисунке 2.

Рисунок 2 – Схема исследования статистических характеристик
МДП-транзистора 2П301А с индуцированным (обогащённым) каналом р-типа

Напряжения питания подаются с гнёзд источников стабилизированных напряжений Е-1 и Е-2, имеющих собственную цифровую индикацию и плавные регулировки R9 и R10 выходных напряжений соответственно. Измерения постоянных напряжений и токов в схемах осуществляется с помощью цифровых тестеров серии MY6x. При этом тестер, используемый для измерения тока, всегда включается последовательно с исследуемым объектом; а тестер, используемый для измерения напряжения, всегда включается параллельно с исследуемым объектом.

3 Измерительная часть

3.1 Измерение статических характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом

Таблица 1 – Статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом (КП103Б)

Семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом представлено на рисунке 3.

Семейство управляющих характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом представлено на рисунке 4.

3.2 Измерение статических характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа

Таблица 2 – Статические характеристики МДП-транзистора (КП301А)

Семейство выходных характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа представлено на рисунке 5.

Семейство управляющих характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа представлено на рисунке 6.

4 Расчётная часть

4.1 Расчёт дифференциальных параметров полевого транзистора с управляющим р-п переходом

а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора

где – относительное приращение тока стока;
- относительное приращение напряжения между затвором и стоком транзистора

б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току

где – относительное приращение напряжения между стоком и истоком транзистора

Ом

в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора

4.2 Расчёт дифференциальных параметров МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа

а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора

где – относительное приращение тока стока;
- относительное приращение напряжения между затвором и стоком транзистора

б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току

где – относительное приращение напряжения между стоком и истоком транзистора

Ом

в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора

Вывод: в данной лабораторной работе был изучен принцип действия двух типов полевых транзисторов – транзисторов с управляющим р-п переходом и транзисторов с индуцированным каналом р-типа, измерены их статические характеристики и определены основные параметры.